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首頁產(chǎn)品及業(yè)務(wù)半導(dǎo)體設(shè)備紅外顯微鏡

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MIR200 近紅外顯微鏡

?蘇州卡斯圖電子有限公司自主研發(fā)的無損紅外透視顯微技術(shù),廣泛交付于半導(dǎo)體(Semiconductor)領(lǐng)域公司、平板顯示(FPD)公司、科研單位、高校及第三方實(shí)驗(yàn)室、軍工企業(yè)。

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蘇州卡斯圖電子有限公司自主研發(fā)的無損紅外透視顯微技術(shù),廣泛交付于半導(dǎo)體(Semiconductor)領(lǐng)域公司、平板顯示(FPD)公司、科研單位、高校及第三方實(shí)驗(yàn)室、軍工企業(yè)。


該技術(shù)方案得益于精密光學(xué)設(shè)計(jì)、納米級(jí)加工的集成式光學(xué)系統(tǒng),兼容于常規(guī)金相顯微鏡(2寸-12寸)、常規(guī)體視顯微鏡(伽利略型及格林諾夫型)、常規(guī)工具顯微鏡、常規(guī)影像測量儀、超景深顯微鏡、大型龍門工業(yè)顯微鏡(MAX120寸)。技術(shù)方案可采用結(jié)構(gòu)光、近紅外波段、中遠(yuǎn)紅外波段、太赫茲波段穿透芯片、顯示面板表層封裝的非金屬化合物,對(duì)客戶產(chǎn)品進(jìn)行無損檢查。其微米/納米級(jí)物體內(nèi)部無損檢測技術(shù)在VECSEL器件、薄膜型黏晶材料穿透、全復(fù)消色差紅外檢測、可見光/紅外對(duì)位檢測等應(yīng)用。


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MIR200紅外顯微鏡——硅基無損紅外透視顯微解決方案


第一代半導(dǎo)體(硅基)

第一代半導(dǎo)體是單質(zhì)材料,因此也被稱為“元素半導(dǎo)體”。世界上第一只晶體管是由鍺(Ge)生產(chǎn)出來的,但鍺的非必要能耗與器件耗損,以及儲(chǔ)量和價(jià)格,相較硅來說不具優(yōu)勢(shì)。硅(包括硅基)器件占到了全球銷售的一代半導(dǎo)體產(chǎn)品95%以上。


國內(nèi)前三晶圓代工廠,12寸晶圓無損穿透案例:


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MIR200紅外顯微鏡——硅基無損紅外透視顯微解決方案


MIR全系列工業(yè)顯微鏡,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸,能夠穿透樣品表面,進(jìn)行無損觀察檢測,檢測效果好、速度快,大幅提升了客戶效率。本系列顯微鏡可根據(jù)客戶要求定制濾片、鏡頭、相機(jī)、平臺(tái),可搭配自動(dòng)傳動(dòng)設(shè)備。


單擊點(diǎn)開視頻:MIR200高速紅外透視檢測  20FPS



MIR200紅外顯微鏡——硅基無損紅外透視顯微解決方案


第一代半導(dǎo)體(硅基)

薄膜型黏晶材料主要應(yīng)用于堆疊式晶片級(jí)封裝體(Stacked Chip Scale Package,SCSP)中,對(duì)于兩種黏晶材料DAF(Die Attach Film)與FOW(Film Over Wire),公司紅外穿透顯微鏡結(jié)合特殊觀察方式,能夠輕松穿透兩種黏晶材料。


國內(nèi)早期LED制造企業(yè)之一,6寸晶圓無損穿透硅片背面及DAF膜案例:


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第一代半導(dǎo)體(硅基)圖片賞析

已交付近50家國內(nèi)客戶用于硅(硅基)產(chǎn)品,以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。


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第一代半導(dǎo)體(硅基)圖片賞析

已交付近50家國內(nèi)客戶用于硅(硅基)產(chǎn)品,以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。


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MIR200紅外顯微鏡——硅基無損紅外透視顯微解決方案


國內(nèi)航空航天軍工企業(yè),紅外雙目對(duì)位檢測案例:


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封裝芯片,晶圓級(jí)CSP/SIP的非破壞檢查,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,透過硅觀察IC芯片內(nèi)部

IR近紅外線顯微鏡,可以對(duì)SiP(System in Package),三維組裝,CSP(Chip Size Package)等用可視觀察無法看到的領(lǐng)域進(jìn)行無損檢查和分析

正置紅外顯微鏡,專用紅外硅片檢測顯微鏡,硅襯底的CSP觀察


Vcsel芯片隱裂(cracks),InGaAs瑕疵紅外無損檢測,LED LD芯片出光面積測量,Chipping(chip crack)失效分析,封裝芯片的內(nèi)部缺陷,焊點(diǎn)檢查,

鍵合片bumping,FlipChip正反面鍵合定位標(biāo)記重合誤差無損測量,可以定制開發(fā)軟件模塊快速自動(dòng)測量重合誤差,硅基半導(dǎo)體Wafer,碲化鎘CdTe ,碲鎘汞HgCdTe等化合物襯底無損紅外檢測,太陽能電池組件綜合缺陷紅外檢測,LCD RGB像元面積測量


IR顯微鏡可用于透過硅材料成像,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,通過紅外顯微鏡對(duì)硅片穿透可觀察晶體生長過程中的位錯(cuò),隱裂痕,芯片劃片封裝的不良狀況無損分析,封裝后的焊接部分檢查,可直接穿透厚度不超過600μm的硅片,觀察IC芯片內(nèi)部,觀察內(nèi)部線路斷裂,崩邊,崩裂,溢出等,也應(yīng)用于包括產(chǎn)品晶圓生產(chǎn)內(nèi)部缺陷檢查,短斷路檢查,鍵合對(duì)準(zhǔn)(薄鍵合電路)


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