蘇州卡斯圖電子有限公司自主研發(fā)的無損紅外透視顯微技術，廣泛交付于半導體（Semiconductor）領域公司、平板顯示（FPD）公司、科研單位、高校及第三方實驗室、軍工企業(yè)。

該技術方案得益于精密光學設計、納米級加工的集成式光學系統(tǒng)，容于常規(guī)金相顯微鏡（2寸-12寸）、常規(guī)體視顯微鏡（伽利略型及格林諾夫型）、常規(guī)工具顯微鏡、常規(guī)影像測量儀、超景深顯微鏡、大型龍門工業(yè)顯微鏡（MAX120寸）。技術方案可采用結構光、近紅外波段、中遠紅外波段、太赫茲波段穿透芯片、顯示面板表層封裝的非金屬化合物，對客戶產品進行無損檢查。其微米/納米級物體內部無損檢測技術在VECSEL器件、薄膜型黏晶材料穿透、全復消色差紅外檢測、可見光/紅外對位檢測等應用。

MIR全系列工業(yè)顯微鏡,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸，能夠穿透樣品表面，進行無損觀察檢測，檢測效果好、速度快，大幅提升了客戶效率。本系列顯微鏡可根據(jù)客戶要求定制濾片、鏡頭、相機、平臺，可搭配自動傳動設備。

MIR100

MIR100紅外顯微鏡——VECSEL芯片無損紅外透視顯微解決方案

第二代半導體（硅基）

20世紀90年代以來，隨著移動通信的快速發(fā)展，以光纖通信和互聯(lián)網(wǎng)為基礎的信息高速公路的興起，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導體材料開始涌現(xiàn)。

垂直腔面發(fā)射激光器(vertical cavity surface emitting laser)，VMK系列、MM系列近紅外2D、2.5D多年來服務于技術量產VECSEL芯片企業(yè)的研發(fā)、品檢、生產中，提供了高性價比的VECSEL全設計波段無損檢測解決方案。

MIR100紅外顯微鏡——VECSEL芯片無損紅外透視顯微解決方案

第二代半導體（硅基）

20世紀90年代以來，隨著移動通信的快速發(fā)展，以光纖通信和互聯(lián)網(wǎng)為基礎的信息高速公路的興起，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導體材料開始涌現(xiàn)。

國內某消費電子代工廠，VCSEL無損穿透案例：

MIR400大平臺紅外顯微鏡

國內前三半導體電光器件、模塊及系統(tǒng)的研發(fā)，銷售和產業(yè)化公司，VCSEL無損穿透案例：

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡稱VCSEL，又譯垂直共振腔面射型激光）是一種半導體，其激光垂直于頂面射出，與一般用切開的獨立芯片制程，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。常規(guī)的金相顯微鏡無法觀測VECSEL產品，以下為近紅外顯微鏡MIR100拍攝的圖片

第二代半導體（化合物半導體）圖片

MIR100已交付近30客戶用于砷化鎵GaAs、磷化銦InP檢測分析。以下為MIR100近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。

第二代半導體（化合物半導體）圖片

MIR100已交付近30客戶用于砷化鎵GaAs、磷化銦InP檢測分析。以下為MIR100近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。

封裝芯片,晶圓級CSP/SIP的非破壞檢查,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,透過硅觀察IC芯片內部

IR近紅外線顯微鏡,可以對SiP（System in Package）,三維組裝,CSP（Chip Size Package）等用可視觀察無法看到的領域進行無損檢查和分析

正置紅外顯微鏡,專用紅外硅片檢測顯微鏡,硅襯底的CSP觀察

Vcsel芯片隱裂（cracks),InGaAs瑕疵紅外無損檢測,LED LD芯片出光面積測量,Chipping(chip crack)失效分析,封裝芯片的內部缺陷，焊點檢查,

鍵合片bumping,FlipChip正反面鍵合定位標記重合誤差無損測量,可以定制開發(fā)軟件模塊快速自動測量重合誤差,硅基半導體Wafer,碲化鎘CdTe ,碲鎘汞HgCdTe等化合物襯底無損紅外檢測,太陽能電池組件綜合缺陷紅外檢測,LCD RGB像元面積測量

IR顯微鏡可用于透過硅材料成像,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,通過紅外顯微鏡對硅片穿透可觀察晶體生長過程中的位錯,隱裂痕,芯片劃片封裝的不良狀況無損分析,封裝后的焊接部分檢查,可直接穿透厚度不超過600μm的硅片,觀察IC芯片內部,觀察內部線路斷裂,崩邊,崩裂,溢出等,也應用于包括產品晶圓生產內部缺陷檢查,短斷路檢查,鍵合對準（薄鍵合電路）